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index 7be8a58..d7c98d2 100644
--- a/docs/hardware/EQOLION_DESIGN.md
+++ b/docs/hardware/EQOLION_DESIGN.md
@@ -100,3 +100,16 @@ bsign 清除，**奇通道 E[s·ĝ] = β·c + δ/β**——污染不翻号全额
 存活路径=锁相分离：c∝β 而污染∝1/β，两档|β|×随机符号四点调制按档积分可解出双通道，零额外相位。
 **评分表新增第三轴：偏置放大系数**（质量/硬件成本之外）。器件电池预注册预测：持久偏置下排序
 重排——per-matrix(Muon/Hyperball)优雅退化, per-coordinate(Adam/sign族)满幅漂移, Dither 翻身。
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+## 增益钳位测试设计（2026-08-06，用户"谱的物理要素"问题触发；下一个实验）
+**物理映射**：σ_i = 阵列沿模式 i 的增益；σ_max = 正向-转置反馈环的环路增益（功率迭代物理原生）；
+谱归一化 = 逐模式增益饱和（NS 的 σ←1.5σ−0.5σ³ 就是三次饱和曲线）；候选物理过程 = **多模增益钳位**
+（激光：每个超阈模式的净圆程增益饱和钳到 1 = 把谱压平；CIM 谱系用模式竞争算顶本征向量是先例）。
+**唯一的坎 = 逐元件 vs 逐模式饱和**（均匀/非均匀增益加宽之别）。
+**测试**（离线, 小矩阵, 先想清楚模型再跑, 吸取 R1 教训）：
+- 动力学: U_{t+1} = G_t ⊙ (W WᵀU_t), G 为逐元件增益, 局部饱和律 g_i ← g_i·f(P0/⟨u_i²⟩)（几种 f 各测）;
+- 读出: 稳态下有效算子的谱形（对 W 的真谱画 σ_eff(σ)曲线）;
+- 判据: 压平程度达到 k=3 等效带（质量加权符号一致 + 若通过则上训练臂 4.76 带验收）;
+- 预注册两个可能结局: 逐元件饱和→只得整体 AGC(Hyperball 类) = 谱归一留数字侧;
+  部分模式分居→部分钳平 = 模拟谱归一化器存在, 精度按 k 曲线定规格。