diff options
| -rw-r--r-- | docs/hardware/COMPONENT_CHARACTERIZATION_PLAN.md | 22 |
1 files changed, 20 insertions, 2 deletions
diff --git a/docs/hardware/COMPONENT_CHARACTERIZATION_PLAN.md b/docs/hardware/COMPONENT_CHARACTERIZATION_PLAN.md index 805419a..183ccba 100644 --- a/docs/hardware/COMPONENT_CHARACTERIZATION_PLAN.md +++ b/docs/hardware/COMPONENT_CHARACTERIZATION_PLAN.md @@ -27,7 +27,13 @@ 2. **单元间 + 同片通道间散布**(买双/四通道芯片的原因:片内失配免费拿)→ 持久缺陷分布的 σ 和形状(正态性检验); 3. **噪声谱**:输入折合噪声 PSD、1/f 拐点(音频 ADC 采样 + Welch 法)→ 刷新噪声幅度; 4. **漂移**:上电后 30 分钟漂移曲线 + 粗温度系数(吹风机/冰袋两点即可)→ 慢时变项; -5. **电容单测泄漏**:充电后开路电压衰减 → 权重保持时间常数。 +5. **电容单测泄漏**:充电后开路电压衰减 → 权重保持时间常数; +6. **写入路径(08-05 补,用户指出的缺口)**:权重不只被"读",每步还要被"更新"——更新通路 + 自己的缺陷是优化器行为的物理来源,必须单列: + - DAC 码写入:单步增量的实际大小 vs 标称、上调/下调不对称性、增量对当前存值的依赖(非线性); + - 电容增量写:单脉冲电荷注入量及其散布、连续小增量的累积误差、写-读串扰; + - 更新粒度地板:能可靠写进去的最小增量(低于它的更新丢失 = 硬件版的舍入地板, + 与 fp32 读出地板同构,同一条 err≈eps/r 律应适用——预注册预测点)。 纪律:每单元编号留档、原始波形全存、温度记录、CSV + 拟合脚本一并入库 → **这张表本身就是 可发表的公共品**("physical-learning 模拟的器件级 imperfection 数据集",正合 Eder 的口味)。 @@ -38,7 +44,19 @@ - ADC 有效位数直接给对比读出的物理 epsilon,用已验证的地板律 err≈eps/r 先做**预测**再仿真验证 (预注册式:律先出数,仿真只判对错)。 -## 不做的事 +## 优化器的行为级设计与验证(08-05 补:模拟路线不豁免这一层,只豁免造它) +被模拟的系统必须带一个**基底做得出的优化器**;Muon 只能留在"GPU 参照臂"。三个候选,全部 +从上面的元件表取参数: +| 候选 | 物理实现 | 缺陷来源(均在清单内) | 现状 | +|---|---|---|---| +| SGDM | 动量 = 电容+泄漏的积分器(天然 EMA) | 电容泄漏速率、写入路径 #6 | 旧判决"发散"来自修复前的旧架构,**须复测** | +| Lion/sign | 动量积分器 + 比较器取号 + 定幅脉冲写 | 比较器阈值失配、写入不对称性 | 同上须复测 | +| factored-Adam | 行/列统计 AGC(平方器+RC+除法器) | 晶体管阵列失配、乘法器刻度误差 | 从未在级联 LM 上验证过质量 | +**由此"优化器价目表"实验从可选升级为必做**:级联 11M/18M 全程跑 EP×{SGDM, Lion, AdamW, +Adafactor(≈factored-Adam 的行为级)}对照 Muon 基线——先理想数学版定质量折价,再叠加实测缺陷 +(泄漏=动量时间常数、写入粒度=更新舍入)定物理版折价。两级分开报。 +模拟里同时保留一个**混合信号对照臂**(数字优化器+按 ADC 位数量化的梯度读出),把"全模拟 vs +混合信号"的质量-能量取舍变成可测量的轴而不是立场。 - 不搭学习环路、不做闭环收敛调试(原 MVP rung 1-2 的主要风险项全部删除); - 元件间连线只到"单元测试夹具"级,不追求系统级板。 |
