表征方案修订(用户纠正): 优化器建模义务不因不造板而消失

撤回"Muon问题消解"的说法: 消失的只是台架工程风险, 被模拟的系统必须带基底做得出的优化器。
新增: 测量项#6写入路径(单步增量/上下不对称/电荷注入/最小可写增量=硬件版舍入地板, 与fp32
读出地板同构=预注册预测点); 优化器行为级设计节(SGDM/Lion/factored-Adam三候选全部从元件表
取参数, 旧"Lion发散"判决系修复前旧架构须复测); 优化器价目表实验从可选升级为必做(理想数学
版与叠加实测缺陷版两级分开报); 增设混合信号对照臂使全模拟vs混合信号成为可测轴。

Co-Authored-By: Claude Fable 5 <noreply@anthropic.com>
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index 805419a..183ccba 100644
--- a/docs/hardware/COMPONENT_CHARACTERIZATION_PLAN.md
+++ b/docs/hardware/COMPONENT_CHARACTERIZATION_PLAN.md
@@ -27,7 +27,13 @@
 2. **单元间 + 同片通道间散布**（买双/四通道芯片的原因：片内失配免费拿）→ 持久缺陷分布的 σ 和形状（正态性检验）；
 3. **噪声谱**：输入折合噪声 PSD、1/f 拐点（音频 ADC 采样 + Welch 法）→ 刷新噪声幅度；
 4. **漂移**：上电后 30 分钟漂移曲线 + 粗温度系数（吹风机/冰袋两点即可）→ 慢时变项；
-5. **电容单测泄漏**：充电后开路电压衰减 → 权重保持时间常数。
+5. **电容单测泄漏**：充电后开路电压衰减 → 权重保持时间常数；
+6. **写入路径（08-05 补，用户指出的缺口）**：权重不只被"读"，每步还要被"更新"——更新通路
+   自己的缺陷是优化器行为的物理来源，必须单列：
+   - DAC 码写入：单步增量的实际大小 vs 标称、上调/下调不对称性、增量对当前存值的依赖（非线性）；
+   - 电容增量写：单脉冲电荷注入量及其散布、连续小增量的累积误差、写-读串扰；
+   - 更新粒度地板：能可靠写进去的最小增量（低于它的更新丢失 = 硬件版的舍入地板，
+     与 fp32 读出地板同构，同一条 err≈eps/r 律应适用——预注册预测点）。
 纪律：每单元编号留档、原始波形全存、温度记录、CSV + 拟合脚本一并入库 → **这张表本身就是
 可发表的公共品**（"physical-learning 模拟的器件级 imperfection 数据集"，正合 Eder 的口味）。
 
@@ -38,7 +44,19 @@
 - ADC 有效位数直接给对比读出的物理 epsilon，用已验证的地板律 err≈eps/r 先做**预测**再仿真验证
   （预注册式：律先出数，仿真只判对错）。
 
-## 不做的事
+## 优化器的行为级设计与验证（08-05 补：模拟路线不豁免这一层，只豁免造它）
+被模拟的系统必须带一个**基底做得出的优化器**；Muon 只能留在"GPU 参照臂"。三个候选，全部
+从上面的元件表取参数：
+| 候选 | 物理实现 | 缺陷来源（均在清单内） | 现状 |
+|---|---|---|---|
+| SGDM | 动量 = 电容+泄漏的积分器（天然 EMA） | 电容泄漏速率、写入路径 #6 | 旧判决"发散"来自修复前的旧架构，**须复测** |
+| Lion/sign | 动量积分器 + 比较器取号 + 定幅脉冲写 | 比较器阈值失配、写入不对称性 | 同上须复测 |
+| factored-Adam | 行/列统计 AGC（平方器+RC+除法器） | 晶体管阵列失配、乘法器刻度误差 | 从未在级联 LM 上验证过质量 |
+**由此"优化器价目表"实验从可选升级为必做**：级联 11M/18M 全程跑 EP×{SGDM, Lion, AdamW,
+Adafactor(≈factored-Adam 的行为级)}对照 Muon 基线——先理想数学版定质量折价，再叠加实测缺陷
+（泄漏=动量时间常数、写入粒度=更新舍入）定物理版折价。两级分开报。
+模拟里同时保留一个**混合信号对照臂**（数字优化器+按 ADC 位数量化的梯度读出），把"全模拟 vs
+混合信号"的质量-能量取舍变成可测量的轴而不是立场。
 - 不搭学习环路、不做闭环收敛调试（原 MVP rung 1-2 的主要风险项全部删除）；
 - 元件间连线只到"单元测试夹具"级，不追求系统级板。